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  • FD800R33KF2英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C

    直流斬波器又稱為截波器,它是將電壓值固定的直流電,轉(zhuǎn)換為電壓值可變的直流電源裝置,是一種直流對(duì)直流的轉(zhuǎn)換器 已被廣泛使用,如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器(Switching-Power-Supply)等。

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    2023-12-25

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  • FZ2400R12KE3英飛凌大功率IGBT模塊FZ2400R12KE3

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FD400R16KF4英飛凌IGBT斬波模塊FD400R16KF4

    直流斬波器又稱為截波器,它是將電壓值固定的直流電,轉(zhuǎn)換為電壓值可變的直流電源裝置,是一種直流對(duì)直流的轉(zhuǎn)換器 已被廣泛使用,如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器(Switching-Power-Supply)等。

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  • FZ1200R16KF4_S1英飛凌IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FZ1000R12KF4英飛凌大功率IGBT模塊FZ1000R12KF4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FZ1800R16KF4代理英飛凌IGBT模塊FZ1800R16KF4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FF600R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4

    英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅晶閘管 電容

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  • 英飛凌IGBT模塊FF1400R17IP4

    英飛凌IGBT模塊FF1400R17IP4 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊可控硅晶閘管 電容

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